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关于我们
成都森未科技有限公司成立于2017年7月，核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成，长期专注于功率半导体器件研发，深耕IGBT芯片技术、应用和产业化10年以上，累计取得相关技术专利50多项，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
10

10年以上
IGBT研发经验

50

累计取得
50多项技术专利

100

成功开发
超百款IGBT产品

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IGBT产品
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晶圆 Wafer
提供600-1700V各电流规格的IGBT晶圆，产品全面采用沟槽栅＋场截止技术，同步国际先进水平。
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模块 Module
提供多种封装形式，包括62mm、34mm、H类、D类、F类、B类等，可实现与国际主流厂商的PIN TO PIN替换
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单管 Discrete
提供TO-220F、TO-247、TO-3P、TO-264等多种封装形式
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技术支持

专注于先进的功率半导体芯片技术，提供IGBT等系列化产品及定制服务

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样品申请
我们提供免费样品试用服务，您可以填写您想试用的样品型号及规格，或者发送您的使用需求至service@fusemi.cn，我们将在48小时内与您联系。
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检测方案
森未科技建立了IGBT芯片和器件检测分析平台，I期投入超过1000万元引入进口设备和仪器，被认定为成都市高新区“IGBT公共技术平台”,可提供芯片、成品、应用等多层面的测试分析服务。
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定制服务
森未科技技术能力覆盖功率半导体器件设计、加工、测试、应用的全过程，可提供各电压等级的IGBT、MOSFET等功率器件的定制业务，满足客户个性化需求。
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应用方案
森未科技测试应用团队成员均为行业器件应用的资深专家，具备十五年以上的IGBT器件现场应用经验，目前已有多个领域的成熟应用方案，也可根据客户工况，定制开发产品应用方案。
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新闻中心
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