SF200R12E6采用森未科技E类封装，具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示，设计指标对标国外某I公司第四代产品。

图SF200R12E6产品封装外形及内部电路拓扑结构

在同样的测试条件下对某I公司**200R12KT4产品与我司SF200R12E6进行了测试对比，具体测试结果：

表1 **200R12KT4/SF200R12E6参数对比

在150℃的同平台测试环境下：开通（Eon）、关断(Eoff)损耗SF200R12E6均比**200R12KT4低。

通过图表可看出，随着驱动电阻的提升，损耗逐渐加大，SF200R12E6趋势变化相对**200R12KT4的更加平缓，驱动电阻加大对SF200R12E6的影响更小；在不同的驱动电阻条件下，SF200R12E6均能保持比**200R12KT4低近20%的能量损耗。

150℃，Vge=15V，Vce=800V，10us短路测试波形

150℃，Vge=15V，Vce=800V的条件下短路测试波形平滑，轻松通过10us测试。

SF200R12E6目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用，可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。