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森未科技产品推介--IGBT模块SF200R12E6
3926次 2022.04.24
今天为大家推介的产品是森未科技变频器用IGBT模块:SF200R12E6,规格为1200V / 200A。

      SF200R12E6采用森未科技E类封装,具体封装外形及内部电路拓扑结构如下图所示,设计指标对标国外某I公司第四代产品。

图SF200R12E6产品封装外形及内部电路拓扑结构


在同样的测试条件下对某I公司**200R12KT4产品与我司SF200R12E6进行了测试对比,具体测试结果:

表1 **200R12KT4/SF200R12E6参数对比


在150℃的同平台测试环境下:开通(Eon)、关断(Eoff)损耗SF200R12E6均比**200R12KT4低。

通过图表可看出,随着驱动电阻的提升,损耗逐渐加大,SF200R12E6趋势变化相对**200R12KT4的更加平缓,驱动电阻加大对SF200R12E6的影响更小;在不同的驱动电阻条件下,SF200R12E6均能保持比**200R12KT4低近20%的能量损耗。


150℃,Vge=15V,Vce=800V,10us短路测试波形


150℃,Vge=15V,Vce=800V的条件下短路测试波形平滑,轻松通过10us测试。

 

SF200R12E6目前已经在变频器、UPS、电源等行业广泛应用,可靠性及功耗表现均达到业内优秀水平。

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