明明白白的讲讲IGBT到底是什么?

浏览: 作者: 来源: 时间:2019-08-02 分类:行业新闻

什么是IGBT

IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)


IGBT模块与IGBT技术关系

IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

IGBT模块与IGBT技术关系

IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

IGBT的应用领域

IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。

IGBT主导元件

IGBT使用过程电压的使用情况

在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

以上就是关于IGBT的讲解,森未作为专业的提供IGBT系列产化产品及定制服务的技术型公司,一直专注于先进的功率半导体芯片技术,用心服务更多的客户群体,满足客户技术要求。