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专注于先进的功率半导体芯片技术,提供IGBT等系列化产品及定制服务
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晶圆 Wafer
提供600-1700V各电流规格的IGBT晶圆,采取国际主流第六代Trench-FS工艺及最新减薄技术,晶圆厚度仅65-190um
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单管 Discrete
提供TO-220F、TO-247、TO-3P、TO-264等多种封装形式
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模块 Module
提供多种封装形式,包括62mm、34mm、H类、D类、F类、B类等,可实现与国际主流厂商的PIN TO PIN替换
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H类封装
D类封装
F类封装
B类封装
测试服务
TEST SERVICE
配置有扫描电子显微镜、动态测试仪、静态测试仪等全套实验设备,提供芯片、成品、应用等多层面的测试分析服务
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定制服务
CUSTOMIZED
我们提供各电压等级的IGBT、MOSFET等功率器件的定制业务,欢迎来电咨询。您也可以将定制需求发送到market@fusemi.cn,我们将尽快与您联系。